温度一定の環境でセンサの時間安定性を見る実験を行いました。
読み出しBOXは5ch同時読み出しのものを使用。
エポキシ基盤と同じ固定方法を行いました。
センサの固定方法
 |
エポキシセンサと同じ方法で固定しました。 |
読み出しBOXを含めたこのシステムを20℃±0.1℃で安定させた恒温槽内部に入れました。
恒温槽内部に入れてからすぐデータサンプリングを行いました。積算時間は400usとしました。
挟んだ低熱膨張ガラスは厚さ0.6mmのものを使いました。
・結果
 |
横軸測定開始からの時間、縦軸は出力されたカウント値です。 |
値が安定した7時間以後のデータを抜き出してそのカウントレートを求め、エポキシ基盤センサのデータと比較しました。
カウントレートの基準はカウントの時間平均です。
 |
赤：セラミック基盤センサ カウント平均29904 緑：エポキシ基盤センサ カウント平均66220.6 |
セラミック基盤、エポキシ基盤で温度、対向金属、低熱膨張ガラスの厚みは同じです。
読み出しBOXは異なります。セラミック基盤は5ch同時読み出し、エポキシ基盤はシグマ光機の3ch同時読み出しを使いました。
こちらの実験と同じくセラミック基盤センサでは読み出し値が減少しました。この実験ではカウント値はエポキシ基盤の半分になりました。
カウントレートで見た場合、ノイズも大きくなりました。
カウント値で見た場合、セラミック基盤センサがrms = 0.269count、エポキシ基盤がrms = 0.216countでした。