制御実験　7 試験43

セラミック基板センサとエポキシ基板センサの比較

セラミック基板のセンサとエポキシ基板のセンサの簡単な比較をしました。

左のように2つのセンサを配置します。
それぞれカバーガラスが挟んであります。
セラミック基板の方は干渉等を防ぐ『バッファ』がセンサヘッド部分の回路に組み込まれています。 設計図はこちらにあります。

基板の材質や回路のパターンの差から、セラミック基板の読み出し値はエポキシ基板の3/4になっています。

干渉の状態

上がエポキシ基板の結果、下がセラミック基板の結果になっています。
それぞれ、左側に対象となるセンサ、左に他のセンサ(干渉させる為にカウント値を全て揃えた)のデータを載せています。
その他のセンサについては見やすくするために適当に縦軸方向にオフセットをかけています。
横軸は測定時間、右の縦軸はカウント値の変化を距離に換算。
エポキシ: 1 cnt = 12 nm
セラミック: 1 cnt = 25 nm
(こちらを参考にした)。

これを見ると、確かにセラミック基板の方が干渉の影響は少ないようですが、読み出し値に時々ノイズが乗っています。

温度変化に対する応答

稼働していた9つの温度計の変化量はどれも同じくらいなので、エポキシ基板・セラミック基板の両者で温度変化が同じと考えられ、セラミック基板センサの方が温度に対する変化率が高いことになります。
（セラミック基板センサはPCの近くにあるのは気になりますが）

尚、温度に対するカウント比の関係は以下のようになりました。

傾きから、nmに換算すると、温度1度の変化に対してセラミック基板センサでは約500nm、エポキシ基板センサでは約100nmのカウント値が変化したことになります。

全ての温度計を表示した画像はこちら。